Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
'rugimpodstawowymtypemtranzystorówunipolarnychsątranzystorypolowezizolowa-
nąbramką.Wichstrukturzeopróczstandardowychwyprowadzeń.G9Si'(odpowiednio.
bramka9źródłoidren)wyróżnićnależyrównieżpodłoże(B).Podłożejestpółprzewodnikiem
odomieszkowaniuprzeciwnymdorodzajukanału(gdyindukowanykanałwystępujemiędzy
drenemiźródłemtypun9topodłożejesttypupinaodwrót).Wwiększościpopularnychtran-
zystorówpodłożejestjednakzwartezeźródłemielementytenadalmajątylkotrzywyprowa-
dzenia.Ponadtowstrukturzetranzystorawystępujeizolator(najczęściejztlenkukrzemu)9
oddzielającybramkęodinnychwyprowadzeń.Przykładowąstrukturętakiegotranzystora
przedstawiononarysunku1.5.
Bramka(G)
izolator
kanał
ħródło(S)
n
3odłoĪH(B)
n
p
Dren(D)
Rys.1.5.Tranzystorpolowyzizolowanąbramką-przykładowastrukturazzaznaczonymiwyprowa-
dzeniami
Tranzystorypolowezizolowanąbramką9zarównozkanałemtypupjakin9dzielimytakże
podwzględemefektu9wywołanegoprzezprzyłożonenapięciesterującebramki9na:
a)tranzystorynormalniewyłączone9zwanerównieżtranzystoramizkanałemwzbogaca-
nym9wktórychkanałindukujesiędopieropoprzyłożeniuodpowiedniegonapięcia
bramka-źródło(UGS)9aliczbanośnikówrośniewrazzewzrostemprzyłożonegonapię-
cia9
b)tranzystorynormalniewłączone9zwanerównieżtranzystoramizkanałemzubożanym9
wktórychzewzględunawbudowanylubteżnastałezaindukowanyładunekkanałist-
niejenawetprzyzerowymnapięciubramka-źródło(UGS=0)9awzrosttegonapięcia
powodujeograniczanieliczbynośników.
Podziałtranzystorówpolowychzizolowanąbramkąnaczteryrodzajemateżswojeod-
zwierciedleniewichsymbolachgraficznychorazcharakterystykach.Narysunku1.6przed-
stawionoichsymbolegraficzne.
14
