Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
Modelukładuskupionego,stanowiącypołączeniewprowadzonychpowyżej
przyrządówidealnych,nazywasięsieciąelektryczną.Będzietosiećskupiona
(S),ogólnienieliniowa(N),choćmożebyćwszczególnościliniowa(L)inajczę-
ściejstacjonarna(S),choćbezstratystosowalnościomawianychtumetodsymu-
lacjimożnadopuścićniestacjonarność(N),czylizależnośćodczasuparametrów
gałęziinnychniżźródłaniezależne.SieciSNS/SNNmożnaopisaćrównaniami
algebraiczno-różniczkowymizwyczajnymi,nieliniowymi/niestacjonarnymi.Je-
żelisiecisąSLS/SLN,torównaniaichsąrównieżliniowe.
Jakoprzykładymodeliprzyrządówpółprzewodnikowychpodanotrzyponiższe:
ModelShockleyadiodyzrys.1.1,zparametramiwtablicy1.3.
i
D
±
I
s
f
|
L
exp
(
|
k
NU
u
D
T
N
|
)
-
1
1
|
J
C
D
±
NU
t
I
s
T
exp
(
|
k
NU
u
D
T
N
|
)
+
(
|
|
k
1
-
C
u
V
j
0
D
j
N
|
|
)
m
Rys.1.1.ModelShocklayadiodypółprzewodnikowej
Tablica1.3.Parametrymodeludiodyzrys.1.1
Is
N
Cj0
Vj
M
UT=kT/q
t
Symbol
prądnasycenia
współczynniknieidealności
czasprzelotu
pojemnośćzłączowaprzyzerowejpolaryzacji
napięcieodniesienia
wykładnikzłączazależnyodprofilu
potencjałelektrotermiczny
Objaśnienie
1e-14A
1
0,1ns
2pF
0,9V
0,5
26mV
Typowawartość
ModeltranzystorapolowegoMOSpoziomu1wedługsymulatoraSPICEzrys.1.2
oparametrachztablicy1.4ioelementachopisanychponiższymiwzorami:
V
TH
±
kT
NOM
q
,
ET
G
(
NOM
)1,160,0007024
±
-
||
T
NOM
T
NOM
2
+
1108
,
u
MS
±
u
GATE
-
u
BULK
u
GATE
±
[
|
{
3,20
3,25
dla
T
PG
±
0
dlaNMOi
ST
PG
±
1,
u
BULK
±
3,25
+
E
G
dlaNMOS
|
[
3,25
+
E
G
dlaNMOSi
T
PG
±-
1
C
OX
±
8
T
OX
OX
,
L
EFF
±
L
-
2
L
D
,
W
EFF
±
W
-
2
W
D
,
KP
±
C
H
OX
0
,
PHI
±
2
u
B
13
