Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
1040BRAMKI,KOMÓRKIPAMIĘCI,UKŁADYIMODUŁYWIELOUKŁADOWE21
Pierwszydziałający
tranzystor
Wynalezienie
układuscalonego
Ogłoszenie
prawaMoore9a
194,
5i
55
6i
65
,i
,5
;i
;5
9i
95
2iii
i5
Rysunek1.12.Wzrostliczbytranzystorówwukładachscalonych
1iimld
1imld
1mld
1iim
1im
1iiiii
1iiii
1iii
1ii
1i
1
11
3.Komputerystająsięcorazmniejsze,coułatwiaumieszczanieichwróżnych
środowiskach.
4.Malejąwymaganiadotyczącepobieranejmocy.
5.Połączeniawewnątrzukładuscalonegosąznaczniebardziejniezawodneniżpołą-
czenialutowane.Imwiększaliczbaukładówwkażdymmikroukładzie,tymmniej-
szaliczbapołączeńmiędzymikroukładami.
Modułwieloukładowy
Stalerosnącewymaganiadotyczącezwiększaniagęstościiszybkościpamięcidopro-
wadziłydozintensyfikowaniawysiłkównarzeczdalszejminiaturyzacji,zktórych
jednymznajważniejszychipowszechniestosowanychjestmodułwieloukładowy
(MCM).Wtradycyjnymprojekciesystemukażdypojedynczyprocesorlubukładpa-
mięcijestumieszczanywobudowieinastępnieumieszczanynapłyciegłównej(patrz
rysunek1.11).
PodstawowąideąrozwojutechnologiiMCMjestzmniejszenieśredniejodległości
międzyukładamiscalonymiwukładzieelektronicznym.MCMtopakietmikroukła-
dów,któryzawierakilkanieobudowanychmikroukładówumieszczonychbardzobli-
skosiebienapewnympodłożu(podstawie)ipołączonychścieżkamiumieszczonymi
wtejpodstawie.Krótkieścieżkimiędzymikroukładamiwpływająnazwiększeniewy-
dajnościorazeliminacjęwieluszumów,któremogłybywpływaćnazewnętrzneścieżki
międzyposzczególnymipakietamimikroukładów.
