Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
1.2.Efektfotowoltaicznywzłączupółprzewodnikowym
a)
n
hv
-
+
p
-
+
b)
TCOCdS
hv
CdTe
-
+
+
-
tylnykontakt
c)
TCO
p+
półprzewodnik
hv
samoistny
-
-
+
+
n+
tylnykontakt
d)
ZnO
CdS
Cu(In2Ga)Se2MoSe2
hv
-
+
+
-
tylnykontakt
e)
p-GaAlAs
hv
-
+
+
p-GaAs
-
n-GaAspodłoże
Rys.1.10.Budowafizycznaorazschematpasmowy:a)ogniwasłonecznegowykonanego
zkrzemukrystalicznego,b)strukturyogniwasłonecznegoopartegonazwiązkupółprzewodni-
kowymCdTe/CdS,c)ogniwasłonecznegowykonanegozjednozłączowegokrzemuamorficz-
negoopartegonazłączup-i-n,d)strukturyogniwaCu(In,Ga)Se
2/CdS,e)typowegoogniwa
zarsenkugalu[22]
Tabela1.1.WartościprzerwyenergetycznejE
gpółprzewodnikówstosowanychwogniwach
słonecznych[23,24].
AlAs
CdS
CdTe
CdSe
CuInSe
CuInS
Cu
Półprzewodnik
2Se
2
2
E
2,15
2,42
1,45
1,74
1,01
0,55
1,20
g[eV]
Cu
GaAs
GaP
Ge
GaSb
InP
ITO
Półprzewodnik
2S
E
1,20
1,43
2,25
0,72
0,66
1,34
3,60
g[eV]
Sikryst.
Siamorf.
SnO
ZnO
Zn
ZnSe
ZnTe
Półprzewodnik
3P
2
2
E
1,11
1,70
3,50
3,30
1,50
2,67
2,26
g[eV]
23
