Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
1.3.Konstrukcjabazowaipodstawoweparametryelektrycznemodelowegojednozłączowego…
Grubośćwarstwyemitera,któralimitujejednocześniepołożeniezłączap-n
wstrukturzeogniwa,jestzależnaodgłębokościwnikaniafaliświatłaowysokiej
energii.Głębokośćtajestróżnadlaróżnychmateriałówpółprzewodnikowych,ale
takżezależyoddługościfaliświatła,coprzedstawiarys.1.14.Jednocześniewar-
stwaemiteramazapewnićefektywnytransportelektronówdoprzedniejelektrody,
awięcpowinnazachowaćniskąrezystancjęiniewielkąprędkośćrekombinacji,
cobywaproblematyczneprzywysokimpoziomiedomieszkowaniajegostruktury.
Rys.1.14.Wielkośćwspółczynnikaabsorpcjiwzależnościoddługościpadającejfaliświetlnej
dlaróżnychmateriałów[11]
Zkoleiwarstwabazy,zwykleogrubościdochodzącejdo300um,mazazada-
niezapewnićabsorpcjęfotonównapoziomiegwarantującymwysokąsprawność
ogniwa.Zewzględunawartośćwspółczynnikaabsorpcjidlakrzemumonokry-
stalicznego,wynoszącązaledwie104/cmdlafaliświatłaodługości500nm,czyli
orządwielkościmniejsząniżnp.dlaGaAsczykrzemuamorficznego,konieczne
jestzastosowanieodpowiedniogrubejwarstwyabsorbera.Powodujetozwiększenie
kosztów,wagi,konsumpcjimateriałuorazsztywnościkonstrukcjiogniwaijest
jednązgłównychwadkrzemuwaplikacjachfotowoltaicznych.
Kontaktbazowyjestnajczęściejwykonywanywformieciągłejwarstwymetali-
cznejlubkratynacałejpowierzchnispodniejogniwa.Jegozadaniemjestefektywne
27