Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
1.2.Efektfotowoltaicznywpółprzewodnikach
kuelementarnegoqigęstościstrumieniafotonówodługościfaliλpadającychna
czynnąpowierzchnięogniwa(wydajnośćzewnętrznaoznaczanaEQE)lubpo-
chłoniętychprzezpółprzewodnik(wydajnośćwewnętrznaIQE).
Wpraktycemaonadużeznaczenie-pokazujeileparnośnikówładunkuzo-
stałowygenerowanychwogniwiepoprzezjedenpadającyfotonookreślonejdłu-
gościfali.Typowojestonaprzedstawianawprocentachlubjakowartośćniemia-
nowana.Jejprzebiegdlamodelowegoogniwaprezentujerys.1.12.
Rys.1.12.Przebiegidealnywydajnościkwantowejdlamodelowegoogniwazkrzemu
krystalicznego[1]
Analizującprzebiegcharakterystykimożnastwierdzić,żedlafotonówoener-
giachmniejszychniższerokośćprzerwyzabronionejdanegopółprzewodnika
(1,1eVdlakrzemukrystalicznego)generacjaoptycznaniezachodzi.Powyżejtej
granicywartośćwydajnościkwantowejszybkorośnie.Wtymregioniejejprze-
biegzależygłównieodprędkościrekombinacjipowierzchniowejnatylnejściance
ogniwaorazodśredniejdrogiswobodnejwewnątrzbazyprzyrządu,gdyżwtym
obszarzeabsorbowanesągłówniefotonyoniewielkichwartościachenergii.Po
dojściudoustalonejwartości(wteoriiogniwaidealnego100%)krzywawydajno-
ścikwantowejpowinnaustalićsięnapewnymstałympoziomie,zależnymtylko
odprędkościrekombinacjinapowierzchniemitera.
Wpraktycepowyżejpewnychwartościspadaonadozera,cojestwywołane
absorpcjąfotonówobardzowysokichenergiachjużwwarstwachpasywująco-
-antyrefleksyjnychlubpokryciuszklanympozawłaściwymogniwem.
23
