Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
18
1.Chemiczneosadzaniezfazygazowej(CVD)
ZpunktuwidzeniaprocesuCVDnajważniejszymzakresemjestza-
kreskinetyczny(I),wktórymszybkośćosadzaniaograniczanajestjedy-
nieszybkościąreakcjiprzebiegającychnapowierzchnipodłoża.Wza-
kresietymwartośćparametrur
Drośniewrazzewzrostemtemperatury
podłoża,przyzachowaniuniskichstężeńprekursora[20].Ztegowzglę-
dumożliwejestprowadzeniewtymzakresiepomiarówkinetycznych.
Najczęściejzmianyszybkościosadzaniawfunkcjitemperaturyprzedsta-
wiasięwukładziewspółrzędnychArrheniusa(rys.1.4),copozwalanawy-
znaczenieenergiiaktywacji(E
a).Ponadtostężeniereagentanapowierzchni
podłożajestłatwedookreślenia,gdyżodpowiadaonostężeniucałkowite-
muprekursorawreaktorzeprzyzałożeniu,żeulegaonwolnoprzemianom.
Należyjednakzauważyć,żestężeniereagentówmożebyćtrudnedookre-
ślenia,jeśliprekursorcharakteryzujesięniskimciśnieniemparorazgdy
stosowanyjestgaznośny.
Podsumowując,należypodkreślićolbrzymiąrolę,jakąwprocesach
CVDodgrywajązwiązkichemicznestosowanejakoprekursory.Toichfizy-
kochemicznewłaściwościdecydująoprzebieguwszystkichwymienionych
etapówosadzaniaimająbezpośredniwpływnarodzajijakośćotrzymywa-
negomateriału.DlategorozwójtechnologiiopartychnaprocesachCVD
ściślezależyodbadańzmierzającychdootrzymywanianowych,doskonal-
szychprekursorów,pozwalającychnawytwarzanienanomateriałówości-
śleokreślonejstrukturzeiwłaściwościach.
1020ZWIĄZKICHEMICZNESTOSOWANEJAKOPREKURSORYCVD
Związekchemicznystosowanyjakoprekursorchemicznegoosadzaniazfazy
gazowejmusispełniaćszeregogólnychwarunkówwynikającychzespecyfi-
kimetodytworzeniaiwzrostuwarstwy.Donajważniejszychnależą:
-odpowiednialotnośćniezbędnadouzyskaniamożliwiewysokiego
stężeniaprekursorawparachiodpowiedniowysokichszybkościosa-
dzania,przyjednoczesnymtworzeniujaknajsłabszychoddziaływań
międzycząsteczkowychwfazieskondensowanejiograniczeniuefektów
związanychzagregacjącząsteczek,
-wysokaczystośćprekursora,którawznacznymstopniuograniczaza-
nieczyszczeniatworzonejwarstwy,
