Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
I.8.Kasyrejestrujące
65
rejestrującejzawierającegowyszczególnieniewszystkichstawekpodatkuodtowarów
iusługwrazzdokonanymiobrotaminettoorazbruttonadanejkasierejestrującej.
DanezraportówzapisywanebyływskładanychokresowodeklaracjachVAT-7,aobli-
czonypodateknależnywynikającyzraportówzkasłączonybyłzpodatkiemnależnym
wynikającymzwystawionychfaktur.Łącznasumapodlegaławpłacienakontoorganu
podatkowego.
Odtechnicznejstronykażdakasarejestrującawyposażonabyławtzw.pamięćfiskalną,
którąbyłukładelektronicznylubwyłącznieukładscalonypamięcipółprzewodni-
kowej,ztransmisjąrównoległą.Początkowojakopamięćfiskalnawykorzystywany
byłukładscalonytypuEPROM(ang.erasablePROM),czylirodzajpamięcicyfrowej
wformieukładuscalonegoprzechowującejzapisanązawartośćtakżepoodłączeniu
zasilania122.PamięćtypuEPROMwykorzystywałaspecjalnieskonstruowanytranzy-
storMOSzdwiemabramkami:sterującą,którabyłapołączonąelektryczniezresztą
układu,ibramkąpamięci,odizolowanąodresztyukładu
123
.PamięćEPROMprze-
chowywaładaneprzezok.10-20lat.Ponadtopozwalałanaokołotysiącacyklizapisu
idowolnąliczbęcykliodczytu.Tegłównecechyniezmierniedługotrwałegoprzecho-
wywaniazapisanejzawartościpoodłączeniuzasilaniapowodowaływybórpamięci
typuEPROMdoinstalacjiwkasachrejestrujących.Obecniewykorzystywanajest
pamięćflashzniekasowalnączęścią,wykorzystującatransmisjęszeregową124.Moduł
122
Wikipedia.pl,https://pl.wikipedia.org/wiki/EPROM,dostęp:14.12.2022r.:nEPROM(ang.Erasable
PROM)-rodzajpamięcicyfrowejwpostaciukładuscalonego,przechowującejzawartośćtakżepoodłączeniu
zasilania.WykorzystujespecjalnieskonstruowanytranzystorMOSzdwiemabramkami:sterującą,normalnie
połączonąelektryczniezresztąukładuibramkąpamiętającą,odizolowanąodresztyukładu.PamięćEPROM
programowanajestprzypomocyurządzeniaelektronicznego,którepodajenadrentranzystoranapięciewyż-
szeniżnormalnieużywanewobwodachelektronicznych(nazwaneVpp(ang.programmingvoltage)iwynosi
zwykle25Vnp.TexasInstrumentsTMS2708,21Vnp.TexasInstrumentsTMS2732Alub12,5Vnp.STMi-
croelectronicsM27C64A,wukładachcyfrowychstosujesięnapięcia3,3-5V),zdolnedochwilowegoprzebicia
warstwyizolacyjnejwokółbramkipamiętającej.Programowanieukładupoleganaprzebiciucienkiejwarstwy
izolatoraiwpuszczeniudobramkipamiętającejokreślonegoładunkuelektrycznego.Jegoobecnośćnastałe
zatykatranzystor,niezależnieodstanudrugiejbramki.Skasowaniepamięcipoleganaodprowadzeniuładunku
zbramki.Razzapisana,pamięćEPROMmożezostaćskasowanajedynieprzezwystawieniejejnadziałanie
silnegoświatła(UV-EPROM)ultrafioletowego(wymaganadługośćfali:253,7nm),którejonizujeizolator
umożliwiającodpłynięciezgromadzonegoładunkulubelektrycznie(EEPROM).PamięciEPROMwielokrot-
negoprogramowaniamożnarozpoznaćpoprzeźroczystymokienkuzeszkłakwarcowegonagórzeukładu,
przezktórewidaćkośćkrzemowąiktóreumożliwiadostępświatłaultrafioletowegowraziekonieczności
skasowania.Istniejąwersjejednokrotnegoprogramowania(OTP),którenieposiadająokienkakasowania,
aukładkrzemowyjestzamontowanywobudowieztworzywasztucznego.Istotnącechątegorozwiązaniajest
znacznieniższacenaukładuwynikającazniższegokosztusamejobudowy”
.
123
Wikipedia.pl,https://pl.wikipedia.org/wiki/MOS,dostęp:14.12.2022r.:nMOS-technologiaprodukcji
tranzystorówpolowych(zang.MetalOxideSemiconductor)”.
124
Wikipedia.pl,https://pl.wikipedia.org/wiki/Pamięć_flash,dostęp:14.12.2022r.:nPamięćflash
(ang.flashmemory)-rodzajpamięcikomputerowej(półprzewodnikowej,nieulotnej)stanowiącejrozwi-
nięciekonstrukcyjneikontynuacjępamięcitypuEEPROM.Dostępdodanychzapisanychwpamięciflash
wykorzystujestronicowaniepamięci:operacjeodczytu,zapisulubkasowaniawykonywanesąjednocześniena
ustalonejkonstrukcyjnieliczbiekomórek,pogrupowanychwstrukturębędącąwielokrotnościąsłowamaszy-
nowego(bajtu).Cechąwyróżniającąpamięćflashjestwykorzystanietechnologiikomórekwielostanowych”
.