Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
20
Wykazważniejszychskrótów
(ang.fillfactor)współczynnikwypełnieniapowierzchnimatry-
cy,(ang.fullframe)pełnaramka
FIR
(ang.farinfrared)dalekapodczerwień
FOM
(ang.figureofmerit)kryteriumjakości
FOV
(ang.fieldofview)kąt(pole)widzenia
FPA
(ang.focalplanearrays)mozaikadetektorówzobróbkąsygnału
wpłaszczyźnieobrazowej
FPN
(ang.fixedpatternnoise)szumwynikającyzniejednorodności
przestrzennejsygnałupikselimatrycy
FSI
(ang.frontside-illuminated)oświetlaneodprzodu
FWC
(ang.fullwellcapacity)pojemnośćstudnipotencjału
HDVIP
(ang.highdensityverticallyintegratedphotodiode)
HEB
(ang.hotelectronbolometer)bolometrnagorącychnośnikach
HEMT
(ang.high-electron-mobilitytransistor)tranzystorowysokiej
ruchliwościelektronów
IDA
(ang.integrateddetectorassembly)zestawintegracyjnydetek-
tora
JFET
(ang.junctionfieldeffecttransistor)tranzystorpolowyzłączowy
LIA
(ang.lock-inamplifier)wzmacniaczfazoczuły
LWIR
(ang.long-waveinfrared)długofalowapodczerwień
MBE
(ang.molecularbeamepitaxy)wzrostwarstwepitaksjalnych
związekmolekularnych
MCP
(ang.microchanelplate)płytkamikrokanalikowa
MOCVD(ang.metal-organicchemicalvapourdeposition)wzrostwarstw
epitaksjalnychzezwiązkówmetaloorganicznych
MOS
(ang.metal-oxide-silicon)technologiaprodukcjitranzystorów
polowych
MOSFET(ang.metal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistor)tranzy-
storpolowyzizolowanąbramką
MRTD
(ang.minimumresolvabletemperaturedifference)różnicamię-
dzytemperaturątestuatemperaturąjednorodnegotła
MTF
(ang.modulationtransferfunction)funkcjaprzenoszeniamodu-
lacji
MWIR
(ang.mid-waveinfrared)średniapodczerwień
NEC
(ang.noiseequivalentcharge)ładunekrównoważnyszumom
NEI
(ang.noiseequivalentirradiance)natężenienapromienienia
równoważneszumom
NEP
(ang.noiseequivalentpower)mocrównoważnaszumom
NETD
(ang.noiseequivalenttemperaturedifference)różnicatempera-
turyrównoważnaszumom
FF
