Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
22
MarekSzklarczyk
położeniawkierunkachx,yiz(rys.1.3).Obecniestosujesięnajczęściejkrysz-
tałyrurkowepodzielonenasektory(rys.1.3,prawastrona).Doprzeciwległych
sektorówprzykładasiępotencjałyotakichsamychwartościach,leczprzeciwnych
znakach.Poprzyłożeniunapięciaodpowiednisektorwydłużasięlubskraca,prze-
chylającigłęlubpróbkęzamocowanąnajegokońcu.
Nasuwasiępytanie:jakienapięciemusibyćzastosowane,jeślioczekujesięprze-
sunięćrzęduwymiarówatomowych?Zmianęwymiarupiezoelektrykówrurkowych
∆l(wÅ)możnaobliczyćnapodstawiezależności
∆l=B·V·l/d
(1.25)
wktórejVoznaczanapięciewwoltach,l–długośćwmilimetrach,d–grubość
wmilimetrach,aB–stałązależnąodmateriałupiezoelektrycznego,któradla
materiałuPZT-5Awynosi–1,73Å/V
.
Łatwojestwięcoszacować,żestosowanyminapięciamimogąbyćnapięcia
łatwedozmierzenia,rzędumiliwoltów.
Narysunku1.4aprzedstawionyjestprzykładowyobrazSTMsieciatomowej
grafitu,anarysunku1.4bobrazobliczonyzwykorzystaniemteoriiLDOS(ang.Lo-
calDensityofStates).Porównanietychobrazówpokazujedoskonałeodwzorowanie
technikąSTMteoretycznychprzewidywaństrukturyatomowejgrafitu.
a)
b)
Rys.1.4.ObrazSTMpowierzchnigrafitu:a)zdjęcieSTM,2nm×2nm,b)obrazobli-
czonyzgodniezteoriąLDOS.Odległościmiędzyatomowezależnieodkierunkuto2,46Å
i1,42Å.Wrysowanyrombprzedstawiakomórkępodstawową
1.3.2.TechnikaAFM
Narysunku1.5przedstawionyjestschematmikroskopusiłatomowych.Zasad-
nicząróżnicąpomiędzymikroskopemSTMamikroskopemAFMjestrodzaj
detekcji.WprzypadkumikroskopuAFMmierzysięoddziaływania,czyliko-
niecznyjestpomiarsił.Pomiarpoleganaokreśleniuwielkościugięciadźwigni
