Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
Materiałynadprzewodnikowe–modelowaniewłasnościizastosowania
Rys.4.Opisoddziaływańelektron-fonon-elektronorazkulombowskiegoodpychania
międzyelektronamiVCwjęzykufunkcjiGreenaelektronuG(p)orazfononuD(Q)
wpostacidiagramówFeynmana.
α
copisujeoddziaływaniekulombowskie,wpowiększeniu
częśćwierzchołkowa
α
efopisującarozpraszanieelektronunafononie
Rys.5.Zależnośćtemperaturykrytycznej
odkoncentracjielektronówdlaselenulan-
tanuLa3-xVxSe4.(V–wakansjelantanu).(---
-)
krzywateoretyczna,(+)eksperyment[7]
Uzyskanieanalitycznychwynikówwprzypadkutakskomplikowanychukładów,
jakrozpatrywanynarysunku5półmetal,okoncentracjielektronów10
21cm-3,wyma-
gałostosowaniawieluprzybliżeń,wtymnajbardziejznanymbyłozastosowaniemodelu
prostokątnejstudnipotencjału.TeoriaBCS,pomimotychprzybliżeń,pozwoliłanaopi-
saniewsposóbilościowywartościtemperaturkrytycznychnadprzewodnikównisko-
temperaturowych,ajednymzprzykładówjestprzedstawionynarysunku5wynik
obliczeń,napodstawierównania(8)orazpomiarówzależnościtemperaturykrytycznej
odkoncentracjielektronówpółmetalicznegonadprzewodnika,selenkulantanuoskła-
dziechemicznymLa3-xVxSe4.
DrugimparametremnależącymdogrupyIjestprzerwaenergetycznaΔopisująca
energiękondensacjifazynadprzewodzącej.JednązzaletteoriiBCSjestto,żepro-
18
