Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
Rys.1.2.Modelpoziomu1tranzystorapolowegoMOS
Tablica1.4.Parametrymodelupoziomu1tranzystorapolowegoMOS
typ
Vt0
KP
PHI
PB
TOX
LD
FC
NSUB
TPG
NSS
TNOM
T
W
L
ALPHA
X
H
Y
Symbol
0
typtranzystora
napięcieprogoweprzyzerowejpolaryzacji(>0dlaNMOS,
<0dlaPMOS)
współczynniktranskonduktancji(>0)
współczynnikpotencjałuprogowego(>0)
potencjałinwersjipowierzchniowej(>0)
współczynnikmodulacjidługościkanału(>0dlaNMOS,
<0dlaPMOS)
potencjałzłączowy
grubośćtlenku
głębokośćdyfuzjibocznej
ruchliwośćpowierzchniowa
parametrdopasowaniazłączowegowprzód
domieszkowaniepodłoża
typmateriałubramki
gęstośćstanówpowierzchniowych[cm-2]
temperaturanominalna
temperaturatranzystora
szerokośćkanału(>0)
długośćkanału(>0)
prądowywspółczynnikjonizacji
Objaśnienie
1dlaNMOS
-1dlaPMOS
1ew.
-1V
2e-5A/V2
0,31/V
0,65V
0,02ew.
-0,0051/V
0,8V
1e-7
0
600cm2/(V·s)
0,5
1015cm-3
1
0
27
27
50um
2um
0
Typowawartość
Modeltranzystorabipolarnegopoziomu1zrys.1.3oparametrachwtabli-
cy1.5jestopisanywzorami:
i
B
±
typ
B
I
S
F
f
|
|
L
exp
(
|
k
typu
NU
F
BE
T
N
|
)
-
1
1
|
|
J
+
typ
B
I
S
R
f
|
|
L
exp
(
|
k
typu
NU
R
BC
T
N
|
)
-
1
1
|
|
J
15
