Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
i
C
±
typI
S
f
|
|
L
exp
(
|
k
typu
NU
F
BE
T
N
|
)
-
exp
(
|
k
typu
NU
R
BC
T
N
|
)
1
|
|
J
-
typ
B
I
S
R
f
|
|
L
exp
(
|
k
typu
NU
R
BC
T
N
|
)
-
1
1
|
|
J
C
BE
±
T
F
(
|
k
1
+
B
1
F
N
|
)
NU
F
I
S
T
exp
(
|
k
typu
NU
F
BE
T
N
|
)
+
(
|
k
1
-
typu
V
JE
BE
N
|
)
M
JE
C
JE
0
C
BC
±
T
R
NU
R
I
S
T
exp
(
|
k
typu
NU
R
BC
T
N
|
)(
+
|
k
1
-
typu
V
JC
BC
N
|
)
M
JC
C
JC
0
Rys.1.3.Modelpoziomu1tranzystorabipolarnego
Tablica1.5.Parametrymodelutranzystorabipolarnego
typ
IS
BF
BR
NF
NR
RB
TF
TR
CJC
CJE
VJC
VJE
MJC
MJE
UT=kT/q
Symbol
parametrtyputranzystora
prądnasycenia
wzmocnienieprądowewprzód
wzmocnienieprądowewsteczne
współczynniknieidealnościwprzód
współczynniknieidealnościwsteczny
rezystancjarozproszonabazy
czasprzelotuwprzód
czasprzelotuwstecz
pojemnośćzłączowaBCprzyzerowymnap.
pojemnośćzłączowaBEprzyzerowymnap.
potencjałodniesieniapojemnościBC
potencjałodniesieniapojemnościBE
wykładnikpojemnościBC
wykładnikpojemnościBE
potencjałelektrotermiczny
Objaśnienie
1dlaNPN,-1dlaPNP
1e-15A
100
10
1
1
50Ω
0,1ns
10ns
2pF
2pF
0,5V
0,6V
0,5
0,5
26mV
Typowawartość
16
