Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
60
2.Kryteriaocenydetektorów
torówzintegrowanychzsoczewkąimmersyjnąpowierzchniafotoczułajest
równaaperturzewejściowej.
Napięciezasilaniadetektora(ang.supplyvoltage).Wwieludetekto-
rachnależystosowaćpolaryzacjęzewnętrzną(zasilanie).Fotorezystory
ibolometrysązasilanenapięciemelektrycznym.Sygnałwyjściowyiszum
detektorasąfunkcjąnapięciazasilaniaiczęstotliwościmodulacjipromie-
niowania.Dążysiędotakiejwartościnapięciazasilaniadetektora,przy
którejstosuneksygnałudoszumuosiągawartośćmaksymalnąprzyokre-
ślonejczęstotliwości.
Mocpromieniowania(ang.incidentpower).Abypoprawniezdefinio-
waćparametrydetektora,należyznaćmocpromieniowaniapadającego,
jegorozkładwidmowyiprzestrzenny.Dotestowaniadetektorówpodczer-
wienipowszechniesąstosowaneciaładoskonaleczarneotemperaturze
500K.Ciałodoskonaleczarnemadokładnieokreślonącharakterystykę
rozkładuwidmowegomocypromieniowania[2.1].
Zwyklestrumieńmocypromieniowaniapadającegonadetektorjest
modulowany.Ponieważmodulacjamożebyćspełnionawróżnysposób
(modulacjaprostokątna,sinusoidalna,trójkątnaitp.),więcprzyjętopoda-
waćmocpodstawowejskładowejrozwinięciafourierowskiegokształtu
przebiegumodulacji[2.2].Częstotliwośćmodulacjijestczęstotliwością
podstawową.Wpomiarachparametrówdetektorówjestpowszechniesto-
sowanamodulacjaprostokątna[2.3].
ImpedancjadetektoraZ
d(ang.detectorimpedance).Impedancję
detektoraZ
dmożnaokreślićjakoilorazwartościchwilowychprzyrostu
napięciadowartościchwilowychprzyrostuprądudladanegonapięcia
polaryzacji
Z
d
=
dVt
dIt
()
()
Vb
i
(2.1)
Impedancjadetektorazależyodnapięciazasilaniadetektora,pojemności
detektorainatężeniapadającegopromieniowania.
RezystancjarównoległafotodiodyR
d(ang.shuntresistance).Jestona
określonajakoilorazwartościchwilowychprzyrostunapięciadowartości
chwilowychprzyrostuprądu,dlaV=0(rys.2.1).WkatalogachfirmyHa-
mamatsujestonaokreślonadlanapięciapolaryzacjiwstecznejfotodiody
wynoszącego10mV[2.4,2.5].
Dlafotodiodyidealnejwartośćrezystancjirównoległejjestnieskoń-
czenieduża,natomiastdlafotodiodyrzeczywistej,wzależnościodzakresu
widmowego,możewynosićoddziesiątekomówdokilkusetMΩ.
