Dostosuj tekst do każdego urządzenia
Twórz notatki
Rozpocznij czytanie tam, gdzie ostatnio skończyłeś
Mam już konto w internetowej bibliotece IBUK Libra
Nie mam konta w internetowej bibliotece IBUK Libra
PAMIĘTAJ!
Twój PIN do zasobów w:
Wygasa: dzisiaj
Aby zdobyć nowy PIN, skontaktuj się z Twoją biblioteką.
Zaakceptuj Regulamin, aby kontynuować korzystanie z serwisu.
Niniejsza książka to trzecia część 4-tomowego opracowania z zakresu podstaw elektroniki i elektrotechniki. Powstała jako tłumaczenie kultowej pozycji wydawnictwa Pearson: „Electrical Engineering – Principles and Applications”. Podręcznik Profesora Hambleya z Uniwersytetu Technicznego w Michigan stanowi ciekawe ujęcie zagadnień dotyczących podstaw elektrotechniki, elektroniki oraz obwodów magnetycznych i maszyn elektrycznych. Autor prezentuje bardzo praktyczne podejście do wielu zagadnień, co jest niezwykle cenne dla studentów kierunków inżynierskich i stanowi novum na polskim rynku.
Nad opracowaniem polskiej wersji czuwał Andrzej Pułka – Profesor na Wydziale Automatyki, Elektroniki i Informatyki Politechniki Śląskiej.
Trzecia część obejmuje takie zagadnienia jak: diody, wzmacniacze, tranzystory polowe i bipolarne, wzmacniacze operacyjne. Na szczególną uwagę zasługuje oryginalny sposób przedstawienia tych zagadnień, który odbiega nieco od klasycznych polskich podręczników. Można powiedzieć, że autor nie trzyma się kurczowo historii elektroniki i nie omawia poszczególnych elementów w takiej kolejności, w jakiej były odkrywane, ale raczej postępuje według innego klucza. Zagadnienia są prezentowane od podstaw (zaczyna od wykładów na temat diod), a następnie przechodzi do ogólnej teorii wzmacniaczy ze szczególnym uwzględnieniem ich praktycznych parametrów, by dopiero później omawiać tranzystory oraz wzmacniacze operacyjne. I w tym miejscu również podejście profesora Hambleya jest ciekawe, mianowicie: wykłady rozpoczynają się od tranzystorów polowych, które z punktu widzenia chronologii pojawiły się później, ale dominują we współczesnych układach elektronicznych nad tranzystorami bipolarnymi. Na podkreślenie zasługuje również bardzo praktyczne, inżynierskie ujęcie omawianych zagadnień.