Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
18
2.Wytwarzanieukładówscalonych–odpomysłudotestów–kurswpigułce
Rys.2.4.Przekrójiwidokzgóry(topografia)strukturyCMOS
Procesprojektowaniazacznijmyodwytyczeniaobszarustudnin,rys.2.5,którajest
jednocześniepodłożemtranzystoraPMOS.Kolejnymkrokiemjestnakreślenieobszaru
p+,któregoszerokośćmusibyćidentycznazotrzymanąwpoprzednimpunkcie(two-
rzenieschematuisymulacjeweryfikującespełnieniezałożeńprojektowych)szerokością
kanałutranzystoraPMOS.Długośćkanałujestdefiniowanaprzezszerokośćwarstwy
bramkitranzystora,którąnależyrównieżnanieśćwodpowiednimmiejscu.Należy
tutajpodkreślić,żeobszarkanałutranzystorapowstaniewmiejscuprzecięciawarstwy
bramkiiwarstwyp+.Trzebatakżezwrócićuwagęnafakt,żewtopografiirysujemy
obszardyfuzjip+takżepodbramką,awpowstałejstrukturzepodbramkąjest
obszarn(kanałwzbogacany).Jesttokonsekwencjątego,żewtechnologiachCMOS
wykonywanesąbramkisamocentrujące–bramkastanowizaporędlaimplantowa-
nychjonówdomieszektworzącychobszaryźródełidrenów(patrzp.7.1.8).Jestto
równieżinformacjadlaoprogramowaniajednoznaczniedefiniującapołożenieobszaru
kanałutranzystora.Następnienależyzaprojektowaćkontaktdopodłożategotranzy-
stora,któryrealizowanyjestzapomocąwarstwyn+(podłożemtranzystoratypupjest
warstwanczylistudnia).
TranzystorNMOSpowstajewpodobnysposób.Jedynąróżnicąjesttylkoto,żejest
onumieszczanybezpośredniowpodłożustrukturypółprzewodnikowejtypup,stano-
wiącejfizycznynośnikscalaka.
Wypadawtymmiejscuwspomnieć,iżkolejnośćrysowaniaodpowiednichwarstw
niemaznaczenia,apowyższyprzykładsłużyjedynieilustracji.Istotnejestnatomiast
położenietychwarstw.Ważnejestabyspełnićwszystkieregułyprojektowe,októrych
