Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
20
2.Wytwarzanieukładówscalonych–odpomysłudotestów–kurswpigułce
Rys.2.6.Ekstrakcja
tranzystorów
towaniategoschematu,idlategoporównaniaLVSdokonujemypowykonaniuekstrakcji
jedyniepodstawowychelementów.Cowięcej,umieszczeniechoćbyjednegoelementu
dodatkowegownetliścieotrzymanejzekstrakcjidałobynegatywnywynikomawia-
nejweryfikacjiLVS,choćbyzewzględunaniezgodnośćliczbyelementówwukładzie.
WwynikuprzeprowadzonejweryfikacjiLVSotrzymujemyinformacjeoliczbachele-
mentówwposzczególnychnetlistachiewentualnychrozbieżnościach,takichjaknp.
wymiaryelementów,błędnepołączenie.Pozwalatonałatwiejszeodnalezienieikorektę
błędówwtopografiiukładu.
2.5.
Ekstrakcjaelementówpodstawowych
ipasożytniczychorazprzeprowadzeniesymulacji
Napodstawierozmieszczeniaorazwymiarówposzczególnychwarstw,możemyzwido-
kutopografiiwyodrębnićnietylkoelementypodstawowe,aletakżepasożytnicze,takie
jakrezystancje,pojemności,anawetindukcyjności.Istnienietychpasywnychizpunktu
widzeniadziałaniaukładu-zwykleniepotrzebnychelementów-jestnieuniknione,
ponieważsąonezwiązanezsamąbudowąstrukturyCMOS.Naprzykład:pojemności
tlenkowe-zbramkątranzystora,azłączowe-zdiodamipowstałymimiędzywar-
stwamipin.Natomiastpojemnościpołączeńtworząsięmiędzyróżnymiwarstwami,
np.metalu,polikrzemu,podłoża.Elementypasożytniczewpływająnaparametrypro-
jektowanegoukładuidlategopoutworzeniutopografiipowinnosię,uwzględniającich
obecność,przeprowadzićbadaniedziałaniaukładuzapomocątakichsamychsymulacji
jakpozbudowaniuschematuwewstępnymetapiecykluprojektowania.Wprzypadku
niespełnieniawymagańnależypowrócićdopoczątkowegokrokutworzeniaschematu
idokonaćwnimorazkażdymnastępnymetapieprocesuniezbędnychpoprawek.
2.6.
Fabrykacjaitestygotowejstruktury
Wynikowątopografięnależyzapisaćjakoplikwjednymzformatówużywanychdo
przenoszeniadanychotopografiachukładówscalonych,np.GDSII(*.gds),CIF(*.cif),
orazprzesłaćdoproducentaukładówscalonych.Możnategodokonaćzapomocąpoczty
