Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
6
Spistreści
5.Projektowanieukładówscalonychmetodąodszczegółu
doogółu...........................................................71
5.1.Schematukładu-odtranzystorówdosystemu................................71
5.2.Weryfikacjafunkcjonalna.................................................78
5.3.Tworzenietopografii.....................................................85
5.3.1.Regułyprojektowe,czylikompromisuzyskuprodukcji
iwydajnościsystemu...............................................85
5.3.2.Parametryelektrycznewarstw........................................95
5.3.3.Połączenieukładuscalonegozeświatemzewnętrznym....................106
5.3.4.Przykładowetopografie.............................................112
5.4.Weryfikacjatopografiiiprzesłanieukładudoprodukcji.........................114
6.Projektowanieukładówscalonychmetodąodogółu
doszczegółu......................................................118
6.1.Cyklprojektowyukładuscalonegometodąodogółudoszczegółu.................118
6.2.Programowanie,kompilacjaisymulacjadziałaniaukładówzapomocąjęzyków
opisusprzętu...........................................................119
6.3.Syntezalogiczna.......................................................122
6.4.Komórkistandardoweiautomatycznegenerowanietopografii...................124
7.Produkcjaukładówscalonych..................................130
7.1.Wytwarzaniestrukturypółprzewodnikowej...................................130
7.1.1.Wytwarzaniemonokryształu.........................................131
7.1.2.Defektystrukturmonokrystalicznych..................................133
7.1.3.Kształtowanieelementówelektrycznych................................138
7.1.4.Nanoszeniewarstw.................................................138
7.1.5.Defektynanoszonychwarstw.........................................151
7.1.6.Kształtowaniewarstw-proces,defekty................................153
7.1.7.Domieszkowanieiwygrzewanie......................................161
7.1.8.UproszczonyprocesprodukcjistrukturyCMOS..........................165
7.2.PostęptechnologiiCMOSiprzyszłośćukładówscalonych.......................169
8.PodstawyjęzykaVerilog........................................175
8.1.Terminologia...........................................................175
8.2.Modułiporty..........................................................176
8.3.PodstawowekonstrukcjejęzykaVerilog......................................180
8.3.1.Typydanych......................................................180
8.3.2.Skalaryiwektory..................................................183
8.3.3.Operacjenawektorach..............................................185
8.3.4.Pamięci..........................................................187
8.3.5.Parametry........................................................187
8.3.6.Zadaniaifunkcje..................................................191
8.4.SkładniaikonwencjejęzykaVerilog........................................194
8.4.1.Słowakluczowe...................................................194
8.4.2.Identyfikatory.....................................................194
8.4.3.Komentarze......................................................195
8.4.4.Znakibiałe.......................................................195
8.4.5.Stałe............................................................195
