Treść książki

Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
3.4.Cewkiindukcyjne
63
Podstawowymiparametramicharakteryzującymicewkęsą:indukcyjnościza-
stępcze(odpowiednioL
s
iL
r
)orazdobroćQ
L
.Dlaschematówprzedstawionychna
rysunku3.12a,bdobroćwyznaczasięnastępująco:
Q
L
=
w
R
L
s
s
,
Q
L
=
w
R
L
r
r
,
(3.12)
gdzieL
r
=
L
s
(
I
k
1
+
Q
1
L
2
]
I
J
.
Wzakresiewielkichczęstotliwościcewceindukcyjnejprzyporządkowujesię
schematzastępczyprzedstawionynarysunku3.13a.RezystancjaRsreprezentujestraty
wprzewodachdoprowadzających,wuzwojeniu(odpowiedniozwiększonewskutek
zjawiskanaskórkowości)iwrdzeniu.PojemnośćC0jestpojemnościąwłascewki,
natomiastRdjestrezystancjązastępcząstratwdielektryku.
Rys.3.13.Schematyzastępczecewekindukcyjnychwzakresiewielkichczęstotliwości:a)układ
pełny;b)układuproszczonyszeregowy
DlacewekodobrociQL>10układzrysunku3.13amożnauprościćisprowadzić
doukładuszeregowegopokazanegonarysunku3.13b.ImpedancjazastępczaZzstego
układuwynosi
Z
zs
=
R
2
zs
+
(
w
L
zs
)
2
.
(3.13)
IndukcyjnośćzastępczaLzsirezystancjazastępczaRzsopisanezależnościami:
L
zs
=
1
w
L
2
s
LC
s
0
=
1
(
I
k
L
s
f
f
0
]
I
J
2
9
R
zs
=
R
RR
d
sd
(
1
+
w
(
2
w
LC
L
s
s
0
)
2
)
2
,
gdzief
0
=
2
π
1
LC
s
0
jestczęstotliwościąrezonansową.
Dobroćzastępczacewkiindukcyjnejwzakresiewielkichczęstotliwości
Q
zs
=
w
R
L
zs
zs
.
(3.14)
(3.15)