Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
2.4.Ekstrakcjaelementówpodstawowychiporównaniezeschematem
Rys.2.5.PrzykładowakolejnośćprojektowaniatranzystoraPMOS
a-studnia,b-obszaryźródłaidrenu,c-bramka,d-obszarn+podkontaktydopodłoża
19
bardziejszczegółoweinformacjezawartowpodrozdziale5.3.1.Naobecnąchwilęzapa-
miętajmy,iżproducentdefiniujeróżnegorodzajuzasadydotyczącepołożeniaróżnych
warstw,tzw.regułygeometryczne(DRC),takiejaknp.minimalnaodległośćobszaru
drenulubźródłatranzystoraPMOSodbrzegustudni.Sprawdzaniazachowaniatych
regułgeometrycznych,atakżeelektrycznych(ERC)należydokonywaćnabieżącopod-
czasprojektowaniatopografii,abyuniknąćnagromadzenianadmiernejliczbyewentual-
nychbłędów.Cowięcej,sprawdzenietychregułtylkoraz-pozaprojektowaniucałości
układu-możeujawnićzbytwielebłędówiwtakiejsytuacjizwiększasięprawdopodo-
bieństwopotrzebyrozpoczęciaprojektowaniatopografiiodnowa.
2.4.
Ekstrakcjaelementówpodstawowych
iporównaniezeschematem
Następnymkrokiempozaprojektowaniutopografiiiwyeliminowaniuewentualnych
przekroczeńregułprojektowychielektrycznychjestprzeprowadzenietakzwanejwery-
fikacjiLVS.JejnazwapochodziodangielskiegookreśleniaLayoutVersusSchematic,
apolegaonanaporównaniusiecipołączeń(netlist),adokładniejgrafówodpowiada-
jącychtymnetlistom,[Zha06],[Ohl93],uzyskanychzeschematuiwidokuukładupo
ekstrakcjielementówpodstawowych.Procesekstrakcjipoleganawyodrębnieniuele-
mentówelektrycznychzwidokutopografii.Przykładowo,tranzystorjestrozpoznawany
napodstawieprzecięciawarstwpolikrzemuiodpowiedniejdyfuzji,rys.2.6,ajego
wymiarysązdefiniowanepoprzezodpowiedniewymiarytychwarstw.
Pamiętajmy,żeprzygotowanynawstępieschematnaszegoukładuniezawierażadnych
elementówpasożytniczych,którychwielkościniedasięprzewidziećnaetapieprojek-
