Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
3.2.Tranzystordyskretnyatranzystorjakopodstawowyelementukładuscalonego
3.2.
Tranzystordyskretnyatranzystorjako
podstawowyelementukładuscalonego
27
TranzystordyskretnyMOSmazwykleźródłozwartezpodłożemiztegopowoduna
zewnątrzsąwyprowadzonetylkotrzyelektrody.Elementytesąnaogółzabezpieczone
diodamiwpiętymimiędzyźródłaidreny,rys.3.3.Ztychpowodówniejestmożliwa
zamianafunkcjiobszarówdrenuiźródła.
Rys.3.3.DyskretnetranzystoryMOSmajązwyklezwarte
obszarypodłożaiźródłaorazsązabezpieczonediodami
TeoretyczniepołączeniedyskretnychtranzystorówPMOSiNMOSwukładinwertera
jestrównoważneztakimpołączeniemelementówwstrukturzescalonej.Przypopraw-
nejpolaryzacjizasilaniadiodyniesąspolaryzowanewkierunkuprzewodzeniainie
ingerująwdziałanieukładu.Jednakjakpokazanonarys.3.4,dyskretnetranzystory
komplementarneznajdująsięwróżnychobudowach.
Natomiastscalenietranzystorówprzeciwnychtypównajednympodłożuiumiesz-
czenieichwjednejobudowiewymagaspecjalnychzabiegów.
Rys.3.4.InwerterCMOS
a-zbudowanyzelementówdyskretnych,b-zbudowanyzelementówscalonychnajednympodłożu
Schematycznyprzekrójstrukturyinwertera,októrejbyłajużmowawrozdziale2,przy-
pomnianonarys.3.5.Natejilustracjizaznaczonorównieżprzykładoweobszaryelementów
pasożytniczych.Podłożemjesttutajpółprzewodniktypup(oczywiściemożliwajesttakże
sytuacjaodwrotnagdypodłożejesttypun).ObszaryźródełidrenówtranzystorówNMOS
sąumieszczone(poprzezdyfuzjęlubimplantację)bezpośredniowpodłożu.Natomiastaby
