Treść książki

Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
1.2.ZasadadziałaniaspektrometruToF-SIMS
5
chemicznypróbkinawybranymobszarze.Czułośćmeto-
dywtymtrybiewynosi10
-6
monowarstwy,coodpowiada
stężeniurzędu1ppm[2,4].Uznajesię,żedlapróbek
oniewielkimrozmiarzemetodatajestquasi-nienisz-
cząca,wprzypadkupróbkiodużymrozmiarzeistnieje
koniecznośćpobraniazniejmniejszejpróbki,comoże
spowodowaćkoniecznośćingerencjiwpróbkęwyjściową
(np.pobranieniewielkiegowycinkadokumentuztypo-
wegoarkuszaA4).Jesttouniwersalnytrybbadaniapró-
bekzmożliwościąuzyskaniainformacjiopełnymskła-
dziepierwiastkowym,izotopowymicząsteczkowym.
Wadaminatomiastsą:dużystopieńfragmentacjicząs-
teczek,szczególniewprzypadkucząsteczekodużych
masach,wpływstrukturypróbkiiobecnośćporówna
powierzchninajakośćotrzymywanegosygnału[4].Na
rysunku1.2zaprezentowanoprzykładowewidmomas
uzyskanetechnikąToF-SIMS.
Wbadaniachpróbekocharakterzekryminalistycz-
nymbardzoczęstokorzystasięztrybuobrazowania
powierzchni,którypołączonyjestzanaliząchemiczną
mikroobszarówpróbki.Dziękiredukcjiśrednicywiązki
jonówpierwotnychosiągasięzogniskowaniejejnawy-
branym,bardzomałymobszarzepróbki(mikroobsza-
rze).Wtensposóbgenerowanejestzarównowidmoma-
sowe,jakiskanowaniekolejnychmikroobszarówpróbki,
wefekcieczegopowstajemaparozkładuposzczególnych
składnikównabadanymobszarzepróbki.
Trybanalizygłębokościowej(dynamicznySIMS)wyko-
nywanyjestprzyużyciuwiązkijonów(wiązkajonówpier-
wotnychlubinneźródłojonów-działojonówrozpylają-
cych,ang.sputteringionbeam)celemodsłonięciakolejnych
warstwpróbki.Procestenwykonywanyjestnaprzemien-
niezanaliząskładuchemicznegoodsłoniętejpowierzchni.
Wtensposóbuzyskiwanajestzależnośćskładuchemiczne-
gobadanejpróbkiodprolugłębokościowego.Wprzypad-
kupróbekocharakterzekryminalistycznymanalizętego
typuwykonujesięznacznierzadziejwporównaniudobadań
zzastosowaniemwidmmaslubobrazowaniapowierzchni,
niemniejjednakmożestanowićcenneźródłoinformacji
dlapróbek,którychskładzmieniasięwrazzgłębokością.
TechnikaToF-SIMSwymagapróbekmożliwiejak
najbardziejpłaskich,któreprzewodząładunkielektrycz-
ne.Wprzypadkupróbekładującychsię(nieprzewodzą-
cych)istniejemożliwośćkompensacjiładunku.Stosujesię
wówczasdziałoelektronów(ang.foodgun)oniskiejenergii
wynoszącejdo20eV
.TechnikąToF-SIMSnaogółniepro-
wadzisięanalizilościowych,chyba,żeposiadamywzorzec
danegomateriału,możliwajestnatomiastanalizałiloś-
ciowa.Dowadtejtechnikimożnazaliczyćżnicewwy-
dajnościgenerowaniajonówwzależnościodmatrycy[1-4].
RYS01020WidmamasoweToF-SIMS(mlz=72-138):(a)taśmydaktyloskopijnejRemco(b)taśmydaktyloskopijnejRemco
ześlademliniipapilarnychzanieczyszczonychamfetaminą