Treść książki

Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
34
2.Właściwościwybranychmateriałówelektronicznych
Rys.2.6.Modelpasmowypółprzewodnikakrzemo-
wegozdomieszkamidonorowymi
łprzewodniktypuPuzyskujesięprzezzastąpienieniektórychatomówkrzemu
atomamipierwiastkówtrójwartościowych(np.glinu,indu,galu).Obecnośćtylkotrzech
elektronówwalencyjnychwatomachdomieszkowychpowodujezdekompletowanie
jednegozwiązańkowalentnych(rys.2.7)wsiecikrystalicznej.Brakelektronuwtym
wiązaniuzostajeuzupełnionyprzezpobranieelektronuzjednegozsąsiednichwiązań,
wktórympowstajedziura.Atompierwiastkatrójwartościowego,zwanegoakcepto-
rem,pouzupełnieniuelektronuwnnieprawidłowym”wiązaniu(naskutekniedostatku
ładunkówdodatnichwjądrze)stajesięjonemujemnym,wywołująclokalnąpolaryzację
kryształu.KoncentracjęakceptorówoznaczasięsymbolemNa.
Rys.2.7.Modelsiecikrystalicznejkrzemu
zdomieszkąatomówindu
Wmodeluenergetycznympasmowympustemiejscawsiecikrystalicznej,niezapeł-
nioneprzezelektrony,odpowiadająnieobsadzonympoziomomdozwolonymdodatko-
wym,leżącymwpobliżupasmapodstawowego(rys.2.8).Nosząonenazwępoziomów
akceptorowych.Wtemperaturzepokojowejwszystkiepoziomyakceptorowezapeł-
nioneelektronami,któreprzeszłytuzpasmapodstawowego.Naskutektegoliczbadziur
wpaśmiepodstawowympjestwielokrotniewiększaniżelektronówwpaśmieprzewod-
nictwap?n.WpółprzewodnikutypuPdziurywpaśmiepodstawowymnośnikami
większościowymi,aelektronywpaśmieprzewodnictwa-nośnikamimniejszościowymi.