Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
3.1.TranzystoryMOS
Rys.3.2.PrzekrójpoprzecznytranzystoraNMOSzwyindukowanymkanałem
a-obszarliniowy,b-obszarnasycenia-efektmodulacjidługościkanału
25
ZaletątranzystorówMOSFETzkanałemwzbogacanymjestto,żedlazerowego
napięciabramka-źródłoV
GS=V
GBjestonwyłączonyiabypowstałkanał(włączenie
tranzystora),należydoprowadzićodpowiednienapięciebramka-źródłoV
GS>V
T,gdzie
V
Tjestnapięciemprogowym.Wbardzoprostysposóbmożnawięcsterowaćzałączaniem
iwyłączaniemtegoelementu(rezystancjąR
DStranzystora).
Wzależnościodwartościnapięciabramka-źródłoV
GSorazodróżnicytegonapię-
ciainapięciadren-źródłoV
DSmożnawyróżnićtrzyobszarydziałaniatranzystora
polowegoMOS.
●
Obszarodcięcia|V
GS|<|V
T|,
dlatranzystoraNMOS:V
GSN<V
TN,gdzieV
TN>0,
dlatranzystoraPMOS:V
GSP>V
TP,gdzieV
TP<0.
NapięcieV
GSmawartośćmniejsząniżwymaganadopowstaniakanału,więcścieżka
źródło-drenzawieradwieprzeciwstawniepołączonediody.Doprowadzenienapięcia
V
DSspowoduje,żejednaznichbędziespolaryzowanawkierunkuzaporowym.Przez
ścieżkęźródło-drenprzepływawięcconajwyżejprądwstecznyzłączapn.Rezystancja
tejścieżkimabardzodużąwartośćrzędu1012Ω,[Sed91].
●
Obszarliniowy|V
GS|>|V
T|i|V
DS|<|V
GS-V
T|,
dlatranzystoraNMOS:V
GSN>V
TNiV
DSN<V
GSN-V
TN,
dlatranzystoraPMOS:V
GSP<V
TPiV
DSP>V
GSP-V
TP.
Spełnieniepierwszegowarunku|V
GS|>|V
T|gwarantujepowstaniewarstwyinwersyjnej
(zaindukowaniekanału),adrugiego|V
DS|<|V
GS-V
T|zapewniaciągłośćkanałunacałej
długościodźródładodrenu.Wobszarzeliniowym(zwanymtakżeobszaremtriodo-
wym)zależnośćprądudrenuodnapięciaV
DSjestwopisanarównaniem
(3.1)
gdzie
(3.2)
