Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
26
3.UkładyCMOS
oraz
µ
N,µ
P-ruchliwośćelektronówidziur;ε
ox-względnaprzenikalnośćelektrycznatlenku;
ε
0-przenikalnośćelektrycznapróżni;t
ox-grubośćwarstwytlenku;W
N,W
P-szerokość
kanałutranzystoraNMOSiPMOS;L
N,L
P-długośćkanałutranzystoraNMOSiPMOS.
Nazwategoobszaruwzięłasięstąd,żedlamałychnapięćV
DSwrównaniach(3.1)
możnapominąćskładnik
.
iwówczasrównaniateprzyjmująliniowąpostać
●
Obszarnasycenia|V
GS|>|V
T|i|V
DS|>|V
GS-V
T|,
dlatranzystoraNMOS:V
GSN>V
TNiV
DSN>V
GSN-V
TN,
dlatranzystoraPMOS:V
GSP<V
TPiV
DSP<V
GSP-V
TP.
Podobniejakpoprzednio,spełnieniepierwszegowarunku|V
GS|>|V
T|gwarantujepowsta-
niewarstwyinwersyjnej(zaindukowaniekanału),jednakżedlanapięćspełniających
drugiwarunek|V
DS|>|V
GS-V
T|warstwainwersyjnanierozciągasięnacałejdługości
odźródładodrenu,leczzanikaprzedobszaremdrenu,rys.3.2b.
WartośćnatężeniaprądudrenuI
DjestwpierwszymprzybliżeniuniezależnaodnapięciaV
DS
(3.3)
Jesttotylkopewneidealizowaniezjawiskwystępującychwtranzystorach.Wrze-
czywistościzmiananapięciaV
DSmapewienwpływnaprądpłynącyodźródładodrenu.
Efekttenjestanalitycznieprzedstawianyzapomocąparametruλwprowadzanegodo
równańopisującychprąddrenu:
(3.4)
gdzieλ
Niλ
P-parametrymodulacjidługościkanału,aichodwrotności1/λ
Ni1/λ
Psą
odpowiednikaminapięciaEarly3egotranzystorówbipolarnych.
Wniniejszympodręcznikudoteoretycznychobliczeńnajczęściejwykorzystanesą
równania(3.1)i(3.3),opisująceidealnytranzystor.Pozwalatonauproszczenieskompli-
kowanejanalizymatematycznejukładówCMOS,amimotouzyskanewynikiumożli-
wiająodpowiedniąinterpretacjęzjawiskzachodzącychwtranzystorachMOSiukładach
znichutworzonych.
